双鸭山信息网
美食
当前位置:首页 > 美食

英研發出比閃存快百倍的新型存儲器

发布时间:2019-11-08 23:57:12 编辑:笔名

英研发出比闪存快百倍的新型存储器 - FPGA/CPLD - 电子工程

英国研究人员最近报告说,他们研发出一种基于“电阻性记忆体”的新型存储设备,与现在广泛使用的闪存相比,耗电量更低,而存取速度要快上一百倍电阻性记忆体的基础是忆阻材料,这种材料的特殊性在于,在外加电压时其电阻会发生变化,随后即使取消外加电压,它也能“记住”这个电阻值在此基础上开发出的存储设备与现有闪存相比更快更节能,是业界近来的研发热点但以前开发出的这种存储设备只能在高度真空环境中运行

英国伦敦大学学院等机构研究人员日前在《应用物理学杂志》上报告说,他们发现可用硅的氧化物制作一种新的忆阻材料,相应存储设备可在常规环境下运行,因此应用价值大大提高

研究人员安东尼·凯尼恩说,这种新型存储设备的能耗只有闪存的约千分之一,而其存取速度是闪存的一百倍以上闪存现在已成为人们随身携带的U盘、数码相机、等设备中广泛使用的存储设备

据介绍,这项成果与科学史上许多发现一样都是源于意外研究人员最开始是在用硅氧化物制作发光二极管,但在实验过程中出了故障,发现所用材料的电学性质变得不稳定了,检查之后发现它们电阻在变化,原因是已经变成了忆阻材料,于是正好把它们转用于研发新型存储设备

文/新华

生物谷药业
生物谷
肠道感染用远大医药立可安